IPT017N12NM6ATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPT017N12NM6ATMA1 توسط Infineon و ISK057N04LM6ATSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPT017N12NM6ATMA1 | ISK057N04LM6ATSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 Trench |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| بسته‌بندی | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +175C | — |
| تعداد پایه | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 15 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 64 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 39.1 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 8.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 12 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 290 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 21 pF |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C |