IPT059N15N3ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPT059N15N3ATMA1 توسط Infineon و IPD50N06S409ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPT059N15N3ATMA1 - 150V 5.9mΩ 155A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPT059N15N3ATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPT059N15N3ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (trench) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 155 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 375 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| بسته‌بندی | PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) | — |
| تعداد پایه | 8 + exposed source tab | 3 (2 + Tab) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 | — |
| Automotive Qualified | No (industrial grade; non-AEC-Q) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |