IQD009N06NM5ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQD009N06NM5ATMA1 توسط Infineon و IQE050N08NM5CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IQD009N06NM5ATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 42 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 445 A | 101 A |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 100 W |
| RDS(on) Maximum | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V | — |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| دمای کاری | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |