IRF3205ZSTRLPBF vs IRF1010ZPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF3205ZSTRLPBF توسط Infineon و IRF1010ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF3205ZSTRLPBF IRF1010ZPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 110 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 76 nC 63 nC (typ, per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263) TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (left reel) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF = Pb-free)
سطح MSL 1 —
Body Diode Avalanche-rated intrinsic —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 75 A (Tc=25C)
Power Dissipation (Pd) at Tc — 140 W (Tc=25C)
On-Resistance (Rds on) Max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Configuration — Single MOSFET
Maximum Junction Temperature — 175 C
Qualification — JEDEC industry standard qualification
Avalanche Rating — Improved repetitive avalanche rated
Lead Status — Lead Free
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت