IRF7313TRPBF vs IRF9952TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7313TRPBF توسط Infineon و IRF9952TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7313TRPBF IRF9952TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7313TRPBF —
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
بسته‌بندی 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-pin SOIC (SO-8), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
سطح MSL 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Polarity / Configuration — Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 30 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
N-Channel R_DS(on) max — 0.10 ohm (at VGS = 10 V)
P-Channel R_DS(on) max — 0.25 ohm (at VGS = -10 V)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix)
Tape and Reel Packaging — Yes (TRPBF suffix)
Qualification — Consumer market

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت