IRF7313TRPBF vs IRF9952TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7313TRPBF מאת Infineon ו IRF9952TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7313TRPBF IRF9952TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7313TRPBF —
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
מארז 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-pin SOIC (SO-8), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
רמת MSL 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Polarity / Configuration — Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 30 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
N-Channel R_DS(on) max — 0.10 ohm (at VGS = 10 V)
P-Channel R_DS(on) max — 0.25 ohm (at VGS = -10 V)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
סטטוס RoHS — Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix)
Tape and Reel Packaging — Yes (TRPBF suffix)
Qualification — Consumer market

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר