IRF8736TRPBF vs BSC054N04NSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRF8736TRPBF توسط Infineon و BSC054N04NSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRF8736TRPBF | BSC054N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET / HEXFET | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | 2.5 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 4.8 mOhm at VGS = 10V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 17 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| بسته‌بندی | SO-8 (8-SO, MS-012AA) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) | — |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | Yes (fully characterized avalanche voltage) | — |
| Configuration | Single | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC054N04NSGATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 81 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 17 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 57 W |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Lead-Free Reflow | — | Yes |