IRF8736TRPBF vs IRF7832TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF8736TRPBF توسط Infineon و IRF7832TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF8736TRPBF IRF7832TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET / HEXFET HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A 20 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
بسته‌بندی SO-8 (8-SO, MS-012AA) 8-SO (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت