IRF8736TRPBF vs IRFR2405TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF8736TRPBF توسط Infineon و IRFR2405TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF8736TRPBF IRFR2405TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET / HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
بسته‌بندی SO-8 (8-SO, MS-012AA) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) Yes (100% avalanche tested)
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
وضعیت RoHS — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
بدون هالوژن — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت