IRFZ48NSTRLPBF vs IRFZ24NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ48NSTRLPBF توسط Infineon و IRFZ24NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ48NSTRLPBF IRFZ24NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 13.3 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +175C
بسته‌بندی D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB (through hole)
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Technology — HEXFET planar cell
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت