IRFZ48NSTRLPBF vs IRFZ24NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFZ48NSTRLPBF bằng Infineon và IRFZ24NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFZ48NSTRLPBF IRFZ24NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 13.3 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C -55C to +175C
Hộp D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB (through hole)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Technology — HEXFET planar cell
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá