IRLB8748PBF vs IRLB8721 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLB8748PBF توسط Infineon و IRLB8721 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLB8721 IRLB8721 - 30V 62A 8.7mOhm MOSFET | Infineon

IRLB8721 - 30V 62A 8.7mOhm MOSFET | Infineon

IRLB8721 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLB8748PBF IRLB8721
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
نوع نصب Through Hole Through-hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel N-channel
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Drain-Source Voltage — 30 V maximum
Continuous Drain Current — 62 A at Tc
Drain-Source On-State Resistance — 8.7 mOhm maximum
Power Dissipation — 65 W at Tc
ولتاژ گیت-سورس — +/-20 V maximum
شارژ کل گیت — 7.6 nC
Technology — StrongIRFET
Gate Drive Optimization — 5 V logic-level optimized
بسته‌بندی — TO-220AB through-hole package
Device Classification — Power MOSFET
Qualification — JEDEC product qualification according to the supplied cross-reference data
Related Ordering Code — IRLB8721PBF
Manufacturer — Infineon Technologies
Manufacturer Product Page — Infineon IRLB8721
Maximum Drain Current Condition — Tc
Power Dissipation Condition — Tc

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت