IRLR120NTRPBF vs IRFU5305PBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR120NTRPBF توسط Infineon و IRFU5305PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRLR120NTRPBF | IRFU5305PBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (Fifth Generation, planar) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 185 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | 42 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 48 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C (junction) | — |
| بسته‌بندی | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount | IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins |
| نوع نصب | Surface Mount | Through Hole |
| Avalanche Energy Rating | Fully avalanche rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free) | — |
| سطح MSL | 1 | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -110 A (pulsed) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 65 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 110 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.36 °C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | — | 62 °C/W |
| Avalanche Rated | — | Yes (EAS rated) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |