IRLR3410TRLPBF vs IRL540NSTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR3410TRLPBF توسط Infineon و IRL540NSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR3410TRLPBF IRL540NSTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 49.3 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-263 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
وضعیت RoHS — Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت