IRLTS2242TRPBF vs IRFR2405TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLTS2242TRPBF توسط Infineon و IRFR2405TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLTS2242TRPBF IRFR2405TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET)
بسته‌بندی TSOP-6 (Micro 6) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) —
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت