ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC009N06LM5ATMA1 توسط Infineon و ISC011N03L5SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC009N06LM5ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Technology | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 348 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 214 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| دمای کاری | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |