ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC009N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC009N06LM5ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Technology | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 348 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 214 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |