ISC011N06LM5ATMA1 vs IQE008N03LM5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC011N06LM5ATMA1 توسط Infineon و IQE008N03LM5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC011N06LM5ATMA1 | IQE008N03LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5, Source-Down |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 8 | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 253 A |
| On-Resistance RDS(on) Typical | — | 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 89 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V (typical MOSFET rating) |