ISC011N06LM5ATMA1 vs IQE008N03LM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC011N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE008N03LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC011N06LM5ATMA1 | IQE008N03LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5, Source-Down |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 253 A |
| On-Resistance RDS(on) Typical | — | 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 89 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V (typical MOSFET rating) |