ISC028N03LF2SATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC028N03LF2SATMA1 توسط Infineon و IPT015N10NF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC028N03LF2SATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Technology | — | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| انرژی بهمنی تک‌پالس | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |