ISCH57N04NM7VSCATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISCH57N04NM7VSCATMA1 توسط Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر ISCH57N04NM7VSCATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 7 (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc value, datasheet not in verified data] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 443 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (typical MOSFET junction range) -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی PG-WSON-8-2 (PQFN 5x6 mm, Dual Side Cooled) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel, source-down lead-frame —
Cooling Dual Side Cooled (top + bottom thermal interface) —
وضعیت RoHS Compliant —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت