K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| تأخیر CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| دمای کاری | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| بدون هالوژن | — | Yes |