K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WA-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WM-BCRC توسط Samsung Electronics و K4AAG165WA-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| سازمان | 1G x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| رابط | DDR4 (SSTL-12) | — |
| بستهبندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | -40C to +95C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| نوع رابط | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |