K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WA-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG165WM-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4AAG165WA-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| ארגון | 1G x 16 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ממשק | DDR4 (SSTL-12) | — |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | -40C to +95C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| סוג ממשק | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |