K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646E-BYK0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYK000 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (BYK) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| رابط | Parallel | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C (TC) |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| نرخ داده | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| تأخیر CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |