K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH086VB-BCWM توسط Samsung Electronics و K4RAH086VB-BIQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| اندازه حافظه | 16 Gb | — |
| سازمان | 2G x 8 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | — |
| رابط | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA reduced pin count) |
| بسته‌بندی | FBGA-82 | 82FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | BIQK (-BIQK bin) |
| دمای کاری | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | 16 / 32 |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |