K4RHE165VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RHE165VB-BCWM توسط Samsung Electronics و K4RHE086VB-BCWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RHE165VB-BCWM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 24 Gb |
| سازمان | 1G x 16 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | 1.1 V |
| بسته‌بندی | 106 FBGA | 82 FBGA |
| دمای کاری | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Product Status | Mass Production | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel, DDR5 | DDR5 (JEDEC) |
| Generation | DDR5 | — |
| Application Segment | DDR5 memory modules and HPC systems | Server / Data Center / Premium PC |
| Speed Grade Suffix | BCWM | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| tCK (Clock Period) | [DATA_NEEDED: clock period] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Configuration | — | x8 |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |