M321R4GA3EB0-CWM vs M321R4GA3EB2-CWM مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M321R4GA3EB0-CWM توسط Samsung Electronics و M321R4GA3EB2-CWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ فعال
Samsung Electronics
M321R4GA3EB2-CWM M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB2-CWM
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $1,260.00
Capacity 32 GB —
نوع حافظه DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM)
Form Factor 288-pin DIMM 288-pin RDIMM
Module Type ECC Registered DIMM (RDIMM) —
نرخ داده 5600 MT/s (PC5-44800) 5600 MT/s (PC5-44800)
تأخیر CAS CL46 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank Configuration 2Rx8 (Dual Rank) —
سازمان 4Gx72 2Rx8 (dual rank, x8)
DRAM Composition 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components
ECC Yes (Registered with ECC) —
Configuration 1 x 32 GB —
Bandwidth Class PC5-44800 (44800 MB/s) —
Application Segment Server / Datacenter —
برند Samsung Electronics —
GTIN / EAN 5715328154490 —
Memory Capacity — 32 GB
Ranks — 2
Error Correction — On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC
DRAM Die — E-die (12nm-class process)
JEDEC Compliance — JEDEC PC5-44800R compliant
Module Supply — 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail)
Compatible Platforms — Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers
وضعیت RoHS — Compliant
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Peak Bandwidth — Approx. 44.8 GB/s per module

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت