M321R4GA3EB0-CWM vs M321R4GA3EB2-CWM השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M321R4GA3EB0-CWM מאת Samsung Electronics ו M321R4GA3EB2-CWM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ פעיל
Samsung Electronics
M321R4GA3EB2-CWM M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB2-CWM
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs EEPROM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $1,260.00
Capacity 32 GB —
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM)
Form Factor 288-pin DIMM 288-pin RDIMM
Module Type ECC Registered DIMM (RDIMM) —
קצב נתונים 5600 MT/s (PC5-44800) 5600 MT/s (PC5-44800)
השהיית CAS CL46 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank Configuration 2Rx8 (Dual Rank) —
ארגון 4Gx72 2Rx8 (dual rank, x8)
DRAM Composition 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components
ECC Yes (Registered with ECC) —
Configuration 1 x 32 GB —
Bandwidth Class PC5-44800 (44800 MB/s) —
Application Segment Server / Datacenter —
מותג Samsung Electronics —
GTIN / EAN 5715328154490 —
Memory Capacity — 32 GB
Ranks — 2
Error Correction — On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC
DRAM Die — E-die (12nm-class process)
JEDEC Compliance — JEDEC PC5-44800R compliant
Module Supply — 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail)
Compatible Platforms — Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers
סטטוס RoHS — Compliant
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Peak Bandwidth — Approx. 44.8 GB/s per module

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר