MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G4NAFR-RDC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A1G8AG-062E توسط Micron Technology و H5AN8G4NAFR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A1G8AG-062E H5AN8G4NAFR-RDC
برند Micron Technology SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit —
سازمان 1G x 8 1G x 4
رابط Parallel Synchronous, differential clock CK_t/CK_c
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
بسته‌بندی 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
نوع نصب Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free)
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8Gb
Data Rate Class — [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin]
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
بدون هالوژن — Yes
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard
Manufacturer — SK hynix
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت