MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBI مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16RE-125:D توسط Micron Technology و H5TC4G63AFR-PBI توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | Obsolete |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| نرخ داده | 1600 MT/s | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| تأخیر CAS | 11 | Programmable |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| دمای کاری | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |