MT53E256M32D2DS-046 vs MT53D512M32D2DS-046 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT53E256M32D2DS-046 توسط Micron Technology و MT53D512M32D2DS-046 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 ✓ فعالMicron Technology
MT53D512M32D2DS-046 - 16Gb LPDDR4 2133MHz DRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-046 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT53E256M32D2DS-046 | MT53D512M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 8 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 32 | 512M x 32 |
| Clock Frequency | 2133 MHz | 2.133 GHz |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: data rate] | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface Supply Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| بسته‌بندی | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT grade) | [DATA_NEEDED: IT temperature range] | — |
| Speed Grade | -046 | — |
| Product Generation | MT53E (LPDDR4/LPDDR4X unified die, supports 0.6V VDDQ LPDDR4X operation) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Automotive Qualification (AUT grade variant) | AEC-Q100 qualified (AUT:B variant) | — |
| Packaging (TR suffix) | Tape & Reel (TR) or Tray | — |
| اندازه حافظه | — | 16 Gbit |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.1 V |
| دمای کاری | — | -30C to +85C (WT grade) |
| Die Configuration | — | DDP (Dual Die Package) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| رابط | — | LPDDR4 (JEDEC mobile SDRAM) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |