MT53E256M32D2DS-046 vs MT53D512M32D2DS-046 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT53E256M32D2DS-046 מאת Micron Technology ו MT53D512M32D2DS-046 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 ✓ פעילMicron Technology
MT53D512M32D2DS-046 - 16Gb LPDDR4 2133MHz DRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-046 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT53E256M32D2DS-046 | MT53D512M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 32 | 512M x 32 |
| Clock Frequency | 2133 MHz | 2.133 GHz |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: data rate] | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface Supply Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| מארז | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT grade) | [DATA_NEEDED: IT temperature range] | — |
| Speed Grade | -046 | — |
| Product Generation | MT53E (LPDDR4/LPDDR4X unified die, supports 0.6V VDDQ LPDDR4X operation) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Automotive Qualification (AUT grade variant) | AEC-Q100 qualified (AUT:B variant) | — |
| Packaging (TR suffix) | Tape & Reel (TR) or Tray | — |
| גודל זיכרון | — | 16 Gbit |
| מתח אספקה | — | 1.1 V |
| טמפרטורת פעולה | — | -30C to +85C (WT grade) |
| Die Configuration | — | DDP (Dual Die Package) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| ממשק | — | LPDDR4 (JEDEC mobile SDRAM) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |