PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار PDRQLAKCDF12-00 توسط Samsung Electronics و K4RAH086VE-BCWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ فعالSamsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $7.60 |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| سازمان | 1G x 16 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 7200 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| بسته‌بندی | 102-ball FBGA | 82-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | DDR5 |
| رابط | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| وضعیت چرخه عمر | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |