2ED2304S06F vs 2ED2304S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2304S06F par Infineon et 2ED2304S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2304S06F 2ED2304S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,66
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topologie High-side + Low-side, half-bridge —
Technology Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) Infineon thin-film SOI
Maximum Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down) —
Input Pins LIN (low-side in), HIN (high-side in) —
Shoot-Through Protection Built-in interlock logic —
Boîtier PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Target Power Devices IGBTs and power MOSFETs —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Niveau MSL — 2

Fiches techniques et ressources

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