2ED2304S06F vs 2ED2304S06FXUMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 2ED2304S06F por Infineon e 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 2ED2304S06F | 2ED2304S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,98 | $0,66 |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | — |
| Topologia | High-side + Low-side, half-bridge | — |
| Technology | Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) | Infineon thin-film SOI |
| Maximum Blocking Voltage (High-Side) | 650 V | — |
| Source Current (typ.) | 0.36 A | 0.36 A |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | 0.7 A |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down) | — |
| Input Pins | LIN (low-side in), HIN (high-side in) | — |
| Shoot-Through Protection | Built-in interlock logic | — |
| Encapsulamento | PG-DSO-8-910 (DSO-8) | PG-DSO-8-910 (DSO-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Power Devices | IGBTs and power MOSFETs | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) |
| Blocking Voltage (High-Side) | — | 650 V |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) |
| VCC Supply Range | — | 10 V to 17 V |
| Bootstrap Diode | — | Integrated (BSD) |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VB-VS) |
| Interlock / Anti-Shoot-Through | — | Built-in |
| Propagation Delay (typ.) | — | 200 ns |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40C to +125C |
| Nível MSL | — | 2 |