2ED2304S06F vs 2ED2304S06FXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2ED2304S06F メーカー: Infineon および 2ED2304S06FXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED2304S06F 2ED2304S06FXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.98 $0.66
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
トポロジー High-side + Low-side, half-bridge —
Technology Infineon thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) Infineon thin-film SOI
Maximum Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A 0.36 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt trigger with hysteresis, pull-down) —
Input Pins LIN (low-side in), HIN (high-side in) —
Shoot-Through Protection Built-in interlock logic —
パッケージ PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Target Power Devices IGBTs and power MOSFETs —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
動作温度範囲 — -40C to +125C
MSLレベル — 2

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼