2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2EDL6014ACG2DXTMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $1,45 |
| Driver Type | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Number of Channels | 2 (high-side + low-side) | — |
| Configuration de sortie | Non-Inverting | — |
| High-Side Voltage Rating | 120 V | — |
| Source Output Current | 4 A | — |
| Sink Output Current | 6 A | — |
| Supply Voltage (VDD) | 2.97 V to 5.5 V | — |
| Rise Time (typ.) | 4.2 ns | — |
| Fall Time (typ.) | 3.8 ns | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Boîtier | 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Packing Method | Tape & Reel | — |
| Isolation Type | Isolated (level-shifted floating high-side) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | EiceDRIVER 2EDL | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |
| Statut RoHS | — | Compliant |