2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon e 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL6014ACG2DXTMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $1,45
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Configuração de saída Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulamento 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8 (DSO-8)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Número de saídas — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Tempo de subida — 15 ns
Tempo de descida — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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