2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDL6014ACG2DXTMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EDL6014ACG2DXTMA1 1ED3124MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $1.45
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
출력 구성 Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
동작 온도 -40 C to +125 C -40 C to +125 C
패키지 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8 (DSO-8)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
출력 수 — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS 상태 — Compliant

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