2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8034G4CXTMA1 par Infineon et 2EDL8033G4BXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,49
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Nombre de sorties 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Junction-isolated (non-galvanic)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Topologie — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Number of Channels — 2 (HS + LS)
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Statut RoHS — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Fiches techniques et ressources

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