2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL8034G4CXTMA1 por Infineon e 2EDL8033G4BXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $1,49
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Número de saídas 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Junction-isolated (non-galvanic)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Temperatura de junção de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Topologia — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Number of Channels — 2 (HS + LS)
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
Status RoHS — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Fichas técnicas e recursos

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