2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 比較

詳細な並列比較: 2EDL8034G4CXTMA1 メーカー: Infineon および 2EDL8033G4BXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 ✓ 生産中
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2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $1.49
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
出力数 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Junction-isolated (non-galvanic)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
動作接合温度 -40 C to +125 C —
パッケージ PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-VDSON-8-5
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
トポロジー — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Number of Channels — 2 (HS + LS)
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
RoHS ステータス — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

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