2EDR7259XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2EDR7259XXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2EDR7259XXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,98 | $1,45 |
| Product Type | Isolated Gate Driver IC | — |
| Topologie | Dual-channel, half-bridge independent outputs | — |
| Isolation Technology | Magnetic (coreless transformer) coupling | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Number of Channels | 2 | — |
| Peak Source Current (typ.) | 5 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9 A | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5700 Vrms | — |
| Transient Withstanding Voltage | 8000 Vpk (per Infineon family datasheet) | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Propagation Delay (typ.) | 38 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Match | [DATA_NEEDED: ns value] | — |
| UVLO | Yes, independent per channel | — |
| Logic Supply (VCC) | 3.3 V or 5 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | — |
| Boîtier | PG-DSO-14 (narrow body) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive grade status] | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |