2EDR7259XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2EDR7259XXUMA1 メーカー: Infineon および 1ED3124MC12HXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDR7259XXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.98 $1.45
Product Type Isolated Gate Driver IC —
トポロジー Dual-channel, half-bridge independent outputs —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Magnetic coupling (coreless transformer)
Number of Channels 2 —
Peak Source Current (typ.) 5 A —
Peak Sink Current (typ.) 9 A —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Transient Withstanding Voltage 8000 Vpk (per Infineon family datasheet) —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typ.) 38 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: ns value] —
UVLO Yes, independent per channel —
Logic Supply (VCC) 3.3 V or 5 V —
動作温度範囲 -40 °C to +125 °C —
パッケージ PG-DSO-14 (narrow body) PG-DSO-8 (DSO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive grade status] —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
出力数 — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
立ち上がり時間 — 15 ns
立ち下がり時間 — 30 ns
動作温度 — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

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