2EDR7259XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок 2EDR7259XXUMA1 от Infineon и 1ED3124MC12HXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | 2EDR7259XXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,98 | $1,45 |
| Product Type | Isolated Gate Driver IC | — |
| Топология | Dual-channel, half-bridge independent outputs | — |
| Isolation Technology | Magnetic (coreless transformer) coupling | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Number of Channels | 2 | — |
| Peak Source Current (typ.) | 5 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9 A | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5700 Vrms | — |
| Transient Withstanding Voltage | 8000 Vpk (per Infineon family datasheet) | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Propagation Delay (typ.) | 38 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Match | [DATA_NEEDED: ns value] | — |
| UVLO | Yes, independent per channel | — |
| Logic Supply (VCC) | 3.3 V or 5 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C to +125 °C | — |
| Корпус | PG-DSO-14 (narrow body) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive grade status] | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Количество выходов | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Время нарастания | — | 15 ns |
| Время спада | — | 30 ns |
| Рабочая температура | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |