2EDR7259XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDR7259XXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EDR7259XXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.98 $1.45
Product Type Isolated Gate Driver IC —
토폴로지 Dual-channel, half-bridge independent outputs —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Magnetic coupling (coreless transformer)
Number of Channels 2 —
Peak Source Current (typ.) 5 A —
Peak Sink Current (typ.) 9 A —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Transient Withstanding Voltage 8000 Vpk (per Infineon family datasheet) —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typ.) 38 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: ns value] —
UVLO Yes, independent per channel —
Logic Supply (VCC) 3.3 V or 5 V —
동작 온도 범위 -40 °C to +125 °C —
패키지 PG-DSO-14 (narrow body) PG-DSO-8 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive grade status] —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
출력 수 — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 30 ns
동작 온도 — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

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