2N7002LT1G vs BSS138L Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002LT1G par onsemi et BSS138L par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2N7002LT1G | BSS138L |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | onsemi |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,02 |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Boîtier | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Catégorie | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | Trench MOSFET, high cell density |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | — |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | 3000 units per reel (tape and reel) |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| VDS Drain-Source Voltage | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 200 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 350 mW |
| RDS(on) Max | — | 3.5 ohm |
| Gate Type | — | Logic Level |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged, reliable |
| Capacité d'entrée | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| VGS Gate-Source Voltage | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |