2N7002LT1G vs BSS138L Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2N7002LT1G от onsemi и BSS138L от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Активен
onsemi
BSS138L BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2N7002LT1G BSS138L
Бренд onsemi onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,02 $0,02
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET Single FET
Корпус SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 3 —
Категория Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET Trench MOSFET, high cell density
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] 3000 units per reel (tape and reel)
Operating Mode — Enhancement Mode
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
Continuous Drain Current (Ta) — 200 mA
Power Dissipation (Ta) — 350 mW
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Gate Type — Logic Level
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
Входная ёмкость — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену