2N7002LT1G vs BSS138L 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2N7002LT1G 제조: onsemi 및 BSS138L 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2N7002LT1G BSS138L
브랜드 onsemi onsemi
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.02 $0.02
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET Single FET
패키지 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
카테고리 Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET Trench MOSFET, high cell density
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] 3000 units per reel (tape and reel)
Operating Mode — Enhancement Mode
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
Continuous Drain Current (Ta) — 200 mA
Power Dissipation (Ta) — 350 mW
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Gate Type — Logic Level
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
입력 커패시턴스 — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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